Intel und Micron haben neuen 3D NAND Flash Speicher vorgestellt

Von Hitzestau - 01.04.2015

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Intel und Micron haben letzte Woche ihre gemeinsam entwickelte 3D NAND Technologie vorgestellt. Damit werden Flash-Bausteine mit der weltweit höchsten Speicherdichte möglich. Flash kommt als Speichertechnologie in Notebooks, Rechenzentren und nahezu in jedem Mobiltelefon und Tablet zum Einsatz.

SSD und andere Speichermedien können dank der neuen 3D NAND Technologie eine dreimal höhere Kapazität aufweisen als bei NAND-Technologien von anderen Anbietern. Die höhere Speicherdichte erlaubt kleinere Formfaktoren, senkt Kosten sowie Stromverbrauch und liefert hohe Leistung – sowohl für mobile Endgeräte von Privatnutzern als auch für komplexe Unternehmensumgebungen. Da die Skalierungsgrenzen für flache NAND Flash Speicher nahezu ausgereizt sind, steht die Speicherindustrie vor grossen Herausforderungen. Die 3D NAND Technologie ebnet den Weg für weitere Leistungssteigerungen und Kosteneinsparungen sowie den verstärkten Einsatz von Flash Speichern.

Für den technischen Laien heruntergebrochen, bedeutet dies gemäss der Medienmitteilung von Intel, dass "SSDs in der Grösse eines Kaugummistreifens mit mehr als 3,5 TByte Speicherplatz möglich sind sowie Standard SSDs im 2,5 Zoll Format mit einer Kapazität von mehr als 10 TByte".

Quelle: Intel

Die wichtigsten Eigenschaften der 3D NAND Technologie kurz zusammengefasst:

  • Hohe Kapazität: Dreifache Kapazität im Vergleich zu existierender 3D Technologie; bis zu 48 GB NAND pro Die, so dass rund 750 GByte Daten in ein einziges Package in der Grösse einer Fingerkuppe passen.
  • Reduzierte Kosten pro GByte: Die erste Generation 3D NAND ist so konzipiert, dass sie kosteneffizienter als flacher NAND Speicher arbeitet.
  • Schnell: Hohe Lese-/Schreib-Bandbreite, I/O-Geschwindigkeit und hohe Geschwindigkeit beim zufälligen Lesen (Random Read)
  • Umweltschonend: Neue Sleep-Modi senken den Stromverbrauch, da sie die Stromzufuhr zu nicht aktiven NAND-Zellen unterbinden (selbst wenn die anderen Zellen im selben Package aktiv sind). Damit sinkt der Stromverbrauch im Standby-Modus erheblich.
  • Smart: Innovative neue Funktionen verbessern im Vergleich zu früheren Generationen die Latenzzeit und Lebensdauer und vereinfachen die Systemintegration.

Gemäss Intel soll die Massenproduktion der neuen Modelle im vierten Quartal dieses Jahres starten – erste Probeläufe der Produktionslinie waren erfolgreich. Beide Unternehmen entwickeln auch eigene SSD-Lösungen auf Basis von 3D NAND Technologie und gehen davon aus, dass diese Produkte innerhalb des nächsten Jahres zur Verfügung stehen.

Mit Material von
Intel Medienmitteilung